Alumno

Oscar Fernando Núñez Olvera

   »  Generación: Febrero2010
   »  Grado: Doctorado en Ingeniería Electrica
   »  Asesor: Alfonso Lastras Martínez
   »  Línea de Investigación: Materiales y Dispositivos Optoelectrónicos
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NOMBRE DE TESIS
Espectroscopia de reflectancia diferencial en tiempo real en semiconductores

RESUMEN:

Este proyecto consiste en realizar una automatizaci�n que permita controlar variables de crecimiento y dopado en el sistema MBE. Las variables que influyen directamente sobre el crecimiento y dopado son: la temperatura en las celdas de efusi�n del sistema MBE y el tiempo de apertura de los obturadores que permiten o inhiben el paso del material que se deposita para formar las diferentes capas del dispositivo que se est� creciendo. Dado que son dos las variables las que influyen en el proceso, habr� de implementarse un algoritmo de control que determine la temperatura para cada una de las celdas de efusi�n y el tiempo de apertura de cada uno de los obturadores. En este trabajo se busca el desarrollo de un medio para medir en tiempo real y de manera precisa el crecimiento que se lleva a cabo en ese momento, para lo cual ser� implementado primeramente un �espectr�metro r�pido de reflectancia anisotr�pica�. Esta t�cnica es no destructiva ya que se usa luz como elemento de medici�n, a trav�s de la interacci�n radiaci�n-materia.